2016年第二届半导体物理与器件国际会议(ICSPD 2016)

发布时间:2016-08-18 11:29:32

 

2016年第二届半导体物理与器件国际会议(ICSPD 2016)-11月-三亚
The 2nd Int'l Conference on Semiconductor Physics and Devices (ICSPD 2016)
           
一、会议网站:
http://www.engii.org/ws2016/Home.aspx?ID=811&utm_source=P2P&utm_campaign=papersubmission&utm_medium=PR


二、会议简介:
2016年第二届半导体物理与器件国际会议(ICSPD 2016)将于2016年11月28-30日在三亚举行。本届大会将特邀国内外半导体物理与器件研究领域内的学者专家前来参会,并做出精彩的报告。本次大会旨在为行业内专家和学者分享技术进步和业务经验,聚焦半导体物理与器件的前沿研究,提供一个交流的平台。2016年第二届半导体物理与器件国际会议(ICSPD 2016)是由多方科研单位及高校共同协办,在领域内享受盛名的国际学术研讨会之一。
所有录用文章将被发表在 "Journal of Applied Mathematics and Physics" (ISSN:2327-4352), 该期刊使您发表的论文得到最广泛的阅览和传播。详情请点击:http://www.scirp.org/journal/jamp/

三、投稿链接:
http://www.engii.org/RegistrationSubmission/default.aspx?ConferenceID=815&utm_source=P2P&utm_campaign=papersubmission&utm_medium=PR


四、会议演讲人:
Dr. Evgeny Puchkov                   Skryabin Institute of Biochemistry and Physiology of Microorganisms, Russia                        
Prof. Jian Wang                           Huazhong University of Science and Technology, China
Prof. W. J. Fan                             Nanyang Technological University, Singapore

五、征稿方向:
  Physics of Semiconductors
  Semiconductor Spintronics / Topological Insulators
  Wide/narrow Band-gap Semiconductors
  Semiconductor Lower Dimensions and Nanostructures
  High Magnetic Fields / High Pressure in Semiconductor Physics
  Ferromagnetism / Magnetic Semiconductors
  Impurities/Defects in Semiconductors
  Photophysics & Transient Absorption Spectroscopy/Measurements
  Surface and Interface Physics
  Semiconductor Quantum Dots / Quantum Hall Effects / Quantum Information
  Semiconductor Materials and Applications / Semiconductor Processing
  Complex Oxides
  Organic Semiconductors
  Compound Semiconductors
  Light Emitting Diodes (LEDs) and Diode Lasers
  Photoelectric and Photovoltaic Devices
  Semiconductor Detectors
  Device Design and Fabrication
  Device Performance and Reliability
  Emerging Semiconductor Technologies
  Novel Semiconductor Devices and Applications
  Other Related Topics

六、投稿说明:
1、论文是中英文稿件均可,且论文应具有学术或实用价值,未在国内外学术期刊或会议发表过。发表论文的作者需提交全文进行评审,只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。
2、论文需要符合主题、论据充分、具备实用价值和创新性。


七、会议日程概况:
11月28日            14:00-16:00               Registration
                    16:00-16:20               Registration
                    16:20-18:00               Registration
11月29日             8:30-10:00               Invited Speech Session
                    10:00-10:20               Coffee Break
                    10:20-12:00               Invited Speech Session   
                    14:00-16:00               Invited Speech Session
                    16:00-16:20               Coffee Break
                    16:20-18:00               Invited Speech Session
11月30日             8:30-10:00               Technical Session
                    10:00-10:20               Coffee Break
                    10:20-12:00               Technical Session   
                    14:00-16:00               Technical Session
                    16:00-16:20               Coffee Break
                    16:20-18:00               Technical Session
12月01日     One-day Tour (at own expense)
    

八、联系方式:
Email: comp_nov@engii.org
Tel: +86 151 7233 0844
QQ: 3025797047
微信公众号: Engii_hw  (关注微信公众号进行参会和投稿咨询,获取会议最新消息)

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会议时间2016-11-28至2016-11-30
会议地点海南海口 三亚
主办单位Engineering Information Institute
联系人刘老师
电话+86 151 7233 0844
Emailcfp_engii@126.com

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