会议时间：2024年12月6-8日
会议地点：中国·三亚
投稿邮箱：contact12@academicx.org (editorrolin@gmail.com)
官方微信：3025797047（企业微信同号）
联系电话: +86 13264702250（周一至周五）
△. 大会简介
第八届半导体物理与器件国际研讨会（The 8th Int'l Conference on Semiconductor Physics and Devices）将于2024年12月6-8日在中国三亚举办。该会议涵盖化合物半导体，新兴半导体技术，铁磁性/磁性半导体，有机半导体，光电和光伏器件，半导体物理学等所有相关议题。会议将集聚来自世界各地的科研人员、工程师、学者及业界专家，展示他们在半导体物理与器件相关领域的最新研究成果及活动进展。
△. 大会特邀嘉宾
Prof. Wenbo Peng
Xi’an Jiaotong University, China
Prof. Masoumeh Ghalkhani
Department of Chemistry, Faculty of Science, Shahid Rajaee Teacher Training University, Iran
△. 参会方式
1、全文参会（参会 + 全文发表 + 报告）
投递全文并参会，录用的文章发表在开源期刊上，被谷歌学术等收录；
一篇文章的注册费含一位作者的参会费用，将安排做15-20分钟的口头报告；
2、摘要参会（参会 + 摘要 + 报告 ）
投递摘要并参会，安排15-20分钟口头报告；
3、听众参会：无报告仅参会
△. 文章出版
录用的论文将发表在国际英文开源期刊Journal of Applied Mathematics and Physics (ISSN Print: 2327-4352/ISSN Online: 2327-4379) 上。
注：1. 如果您只是参会作报告，不需要发表文章，您只需要将您的摘要提交到投稿系统。
2. 您可点击左上角注册按钮下方Template for Manuscripts下载全文投稿模板，按照此模板准备文章。全文篇幅建议15-20页（按照模板格式，带图和参考文献），超过20页需缴纳超页费。摘要投稿无格式要求，具备标题、内容、关键词、作者信息即可，篇幅建议控制在1页以内，最长不超过2页。
3. 投稿之后3-5个工作日内您会收到审核结果，如逾期未收到邮件通知，请您尽快联系我们。
4. 可投中文稿件，文章题目、摘要，关键词需要中英双语，正文部分为中文（可联系我们索取模板文档）。参会时口头报告/海报张贴必须做英文的。
△. 大会日程（供参考）
2024年12月6日 - 大会签到（发指南、期刊、参会证、餐券等相关物资）
2024年12月7日 - 特邀演讲嘉宾报告
2024年12月8日 - 作者报告及海报展示
该会议征文涉及领域包括（但不限于）：
复合氧化物
复合半导体
器件设计和制造
器件性能和可靠性
新兴半导体技术
铁磁性/磁性半导体
半导体物理学中的高磁场/高压
半导体中的杂质/缺陷
发光二极管 (LED) 和二极管激光器
新型半导体器件和应用
有机半导体
光电和光伏器件
半导体物理学
光物理和瞬态吸收光谱/测量
表面和界面物理学
半导体低维和纳米结构
半导体量子点/量子霍尔效应/量子信息
半导体材料和应用/半导体加工
半导体自旋电子学/拓扑绝缘体
半导体探测器
宽/窄带隙半导体
其他相关主题
| 会议时间 | 2024-12-06至2024-12-08 |
| 会议地点 | 海南海口 三亚 |
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